分立器件元器件采购 | 原厂直供分立器件供应商 | 亿配芯城分立器件批发_分立器件电子元器件现货平台

型号/品牌/封装

品类/描述

库存

价格(含税)

资料

型号: NP100N055PUK-E1-AY

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2012

5-24

￥6.2910

25-49

￥5.8250

50-99

￥5.4988

100-499

￥5.3590

500-2499

￥5.2658

2500-4999

￥5.1493

5000-9999

￥5.1027

≥10000

￥5.0328

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NP110N04PUK-E1-AY

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道 40V 110A

2686

1-9

￥200.4220

10-49

￥195.1936

50-99

￥191.1852

100-199

￥189.7909

200-499

￥188.7452

500-999

￥187.3510

1000-1999

￥186.4796

≥2000

￥185.6082

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NP109N055PUK-E1-AY

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: MOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

8698

10-99

￥7.5720

100-499

￥7.1934

500-999

￥6.9410

1000-1999

￥6.9284

2000-4999

￥6.8779

5000-7499

￥6.8148

7500-9999

￥6.7643

≥10000

￥6.7391

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB8245NT4G

品牌: Littelfuse (力特)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

1292

5-49

￥33.5088

50-199

￥32.0768

200-499

￥31.2749

500-999

￥31.0744

1000-2499

￥30.8739

2500-4999

￥30.6448

5000-7499

￥30.5016

≥7500

￥30.3584

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB8202NT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

4145

10-99

￥9.4920

100-499

￥9.0174

500-999

￥8.7010

1000-1999

￥8.6852

2000-4999

￥8.6219

5000-7499

￥8.5428

7500-9999

￥8.4795

≥10000

￥8.4479

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB8202NT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

1989

10-99

￥7.9080

100-499

￥7.5126

500-999

￥7.2490

1000-1999

￥7.2358

2000-4999

￥7.1831

5000-7499

￥7.1172

7500-9999

￥7.0645

≥10000

￥7.0381

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB18N40ACLBT4G

品牌: Littelfuse (力特)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

5347

1-9

￥57.8220

10-99

￥55.3080

100-249

￥54.8555

250-499

￥54.5035

500-999

￥53.9504

1000-2499

￥53.6990

2500-4999

￥53.3471

≥5000

￥53.0454

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB8206NTF4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: 点火IGBT Ignition IGBT

7772

10-99

￥9.4920

100-499

￥9.0174

500-999

￥8.7010

1000-1999

￥8.6852

2000-4999

￥8.6219

5000-7499

￥8.5428

7500-9999

￥8.4795

≥10000

￥8.4479

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NGB8206NTF4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

4882

5-24

￥4.6035

25-49

￥4.2625

50-99

￥4.0238

100-499

￥3.9215

500-2499

￥3.8533

2500-4999

￥3.7681

5000-9999

￥3.7340

≥10000

￥3.6828

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IPB049NE7N3 G

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀

8826

10-99

￥7.4520

100-499

￥7.0794

500-999

￥6.8310

1000-1999

￥6.8186

2000-4999

￥6.7689

5000-7499

￥6.7068

7500-9999

￥6.6571

≥10000

￥6.6323

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NDB603AL

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

5081

5-24

￥2.9430

25-49

￥2.7250

50-99

￥2.5724

100-499

￥2.5070

500-2499

￥2.4634

2500-4999

￥2.4089

5000-9999

￥2.3871

≥10000

￥2.3544

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NDB4050L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

8146

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NDB6020P

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

5138

10-99

￥8.2080

100-499

￥7.7976

500-999

￥7.5240

1000-1999

￥7.5103

2000-4999

￥7.4556

5000-7499

￥7.3872

7500-9999

￥7.3325

≥10000

￥7.3051

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: NDB5060L

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

3530

5-24

￥3.9555

25-49

￥3.6625

50-99

￥3.4574

100-499

￥3.3695

500-2499

￥3.3109

2500-4999

￥3.2377

5000-9999

￥3.2084

≥10000

￥3.1644

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: N0601N-ZK-E1-AY

品牌: Renesas Electronics (瑞萨电子)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道MOSFET的切换 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

9612

1-9

￥101.9015

10-99

￥97.4710

100-249

￥96.6735

250-499

￥96.0532

500-999

￥95.0785

1000-2499

￥94.6355

2500-4999

￥94.0152

≥5000

￥93.4836

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: MTB50P03HDLT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 功率MOSFET 50安培， 30伏特，逻辑电平P沟道D2PAK Power MOSFET 50 Amps, 30 Volts, Logic Level P−Channel D2PAK

6977

5-49

￥19.2465

50-199

￥18.4240

200-499

￥17.9634

500-999

￥17.8483

1000-2499

￥17.7331

2500-4999

￥17.6015

5000-7499

￥17.5193

≥7500

￥17.4370

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: MTB50P03HDLT4G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: ON SEMICONDUCTOR MTB50P03HDLT4G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 50A, D2-PAK

6493

10-49

￥1.1745

50-99

￥1.1136

100-299

￥1.0701

300-499

￥1.0440

500-999

￥1.0179

1000-2499

￥0.9918

2500-4999

￥0.9527

≥5000

￥0.9440

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: MTB30P06VT4

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 功率MOSFET 30安培， 60伏P沟道D2PAK Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts P−Channel D2PAK

3696

10-99

￥8.7120

100-499

￥8.2764

500-999

￥7.9860

1000-1999

￥7.9715

2000-4999

￥7.9134

5000-7499

￥7.8408

7500-9999

￥7.7827

≥10000

￥7.7537

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IPB50N10S3L-16

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFET OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

3572

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IPB100N04S2-04

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor

3412

5-49

￥18.5445

50-199

￥17.7520

200-499

￥17.3082

500-999

￥17.1973

1000-2499

￥17.0863

2500-4999

￥16.9595

5000-7499

￥16.8803

≥7500

￥16.8010

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: STGB30V60DF

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R

8764

1-9

￥49.1172

10-99

￥46.2990

100-249

￥44.2055

250-499

￥43.8834

500-999

￥43.5613

1000-2499

￥43.1990

2500-4999

￥42.8769

≥5000

￥42.6756

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: AUIRF1404ZSTRL

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 场效应管(MOSFET) AUIRF1404ZSTRL D2PAK

2462

5-49

￥16.0173

50-199

￥15.3328

200-499

￥14.9495

500-999

￥14.8537

1000-2499

￥14.7578

2500-4999

￥14.6483

5000-7499

￥14.5799

≥7500

￥14.5114

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IRFS7734TRLPBF

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

3512

10-99

￥9.0000

100-499

￥8.5500

500-999

￥8.2500

1000-1999

￥8.2350

2000-4999

￥8.1750

5000-7499

￥8.1000

7500-9999

￥8.0400

≥10000

￥8.0100

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IRF1404STRLPBF

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: IRF1404 系列 40 V 162 A 超低导通电阻 HEXFET® 功率 MOSFET-D²-Pak

9362

10-99

￥8.7240

100-499

￥8.2878

500-999

￥7.9970

1000-1999

￥7.9825

2000-4999

￥7.9243

5000-7499

￥7.8516

7500-9999

￥7.7934

≥10000

￥7.7644

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IRF530NSTRLPBF

品牌: Infineon (英飞凌)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: INFINEON IRF530NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V

4915

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: CSD19532KTT

品牌: TI (德州仪器)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: 100V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、5.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175

2582

5-49

￥12.1680

50-199

￥11.6480

200-499

￥11.3568

500-999

￥11.2840

1000-2499

￥11.2112

2500-4999

￥11.1280

5000-7499

￥11.0760

≥7500

￥11.0240

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: IRFS4115TRLPBF

品牌: International Rectifier (国际整流器)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N沟道,150V,99A,12.1mΩ@10V

5732

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: STB140NF75T4

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK

9032

10-99

￥11.7360

100-499

￥11.1492

500-999

￥10.7580

1000-1999

￥10.7384

2000-4999

￥10.6602

5000-7499

￥10.5624

7500-9999

￥10.4842

≥10000

￥10.4450

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: STB18NM60ND

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

3138

1-9

￥42.9318

10-99

￥40.4685

100-249

￥38.6386

250-499

￥38.3571

500-999

￥38.0756

1000-2499

￥37.7589

2500-4999

￥37.4774

≥5000

￥37.3014

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比
型号: FQB34N20LTM

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-263-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

6632

5-49

￥26.0442

50-199

￥24.9312

200-499

￥24.3079

500-999

￥24.1521

1000-2499

￥23.9963

2500-4999

￥23.8182

5000-7499

￥23.7069

≥7500

￥23.5956

PDF

联系卖家

加入购物车立即购买对比

产品服务

平台

联系我们

联系方式